+7 (495) 663-30-39

+7 (495) 663-30-67

Установки для молекулярно-пучковой эпитаксии от ЗАО «НТО»

http://www.SemiTEq.ru Установки молекулярно-пучковой эпитаксии

МПЭ установки используются для создания сложных полупроводниковых соединений из материалов с высокой чистотой и заданной точностью геометрических размеров. Ключевой областью применения МПЭ установок (более 90%) является полупроводниковая сфера.

ЗАО «НТО» производит МПЭ установки 2-х типов:
  • для выращивания широкозонных соединений на основе нитридов III группы: STE3N3 и STE3N2
  • для выращивания классических материалов в системе А3В5, А2В6: STE3532 и STE3526
pdf Обзорная брошюра в формате pdf (eng)
Установка STE3N3
Трехкамерная установка STE3N3 разработана с учётом специфики роста материалов A3N и обеспечивает чрезвычайно широкий технологический диапазон доступных ростовых параметров. Благодаря заложенным возможностям STE3N3 обеспечивает эффективное проведение фундаментальных и прикладных научных исследований, опытно-конструкторских работ а также постановку пилотного производства эпитаксиальных структур на основе нитридов.
Установка STE3N2
Двухкамерная установка STE3N2 является упрощённой версией трёхкамерной установки и предназначена для проведения фундаментальных и прикладных научных исследований, опытно-конструкторских работ а также постановку пилотного производства эпитаксиальных структур на основе нитридов. В конструкции STE3N2 отсутствует камера подготовки, ростовая камера непосредственно стыкуется с камерой шлюза.
Установка STE3532
Трёхкамерная установка STE3532 разработана с учётом последних достижений в области молекулярно-пучковой эпитаксии традиционных полупроводников в системах А3В5, А2В6. Областью применения установки МПЭ STE3532 являются фундаментальные и прикладные научные исследования, опытно-конструкторские работы и мелкосерийное экспериментальное производство эпитаксиальных структур в режиме “lab to fab” в системе InAlGaAs/GaAs.
Установка STE3526
Двухреакторный комплекс STE3526 разработан специально для выращивания гибридных наногетероструктур А3В5/А2В6. Областью применения установки МПЭ STE3526 являются фундаментальные и прикладные научные исследования, опытно-конструкторские работы и мелкосерийное экспериментальное производство эпитаксиальных наноструктур на основе широкозонных материалов А2В6 (Cd(Zn)Se/ZnMgSSe) c использованием предварительно выращенных в А3В5-реакторе высококачественных буферных слоёв GaAs..


группа компаний

КРИОСИСТЕМЫ

 

 

© 2002-2017

ГК «КРИОСИСТЕМЫ»

Все права защищены

КОНТАКТЫ

115088, Россия, Москва

"IQ-park", ул. Угрешская,

д.2, стр.22

 

+7 (495) 663-30-39

+7 (495) 663-30-67

Товар добавлен в запрос!
Список отобранного вы можете найти и отредактировать за кнопкой "Отправить запрос".