Оборудование › Вакуумное оборудование (техника) › Вакуумные системы и установки › Ионные имплантеры ›

Ионные имплантеры

В этой главе представлены ионные имплантеры компании IBS (Франция), которая производит серию собственных имплантеров среднего тока (IMC™) для 4,5 и 6-дюймовых производств и научных-исследований. В частности, ниже представлены основные характеристики имплантеров IMC200P и PIII.

	Информационная статья на тему: “Введение в ионную имплантацию”
	Презентация ионных имплантеров компании IBS (Франция)

Модели IMC200P и PIII:

Имплантер IMC200P:

Совместим с подложками из Si, SiC, GaAs, Al2O3
Размер подложек 4, 5 и 6 дюймов
Высоко-производительный робот для передачи подложек
Высокий процент рабочего времени: более 80% время Highuptime (morethan 80%)
Малая занимаемая площадь: менее 9м2)
Программноеnобеспечение ориентированное на производство с многоуровневой системой доступа
Низкая стоимость эксплуатации

Характеристики:

Энергия от 2 кэВ до 200 кэВ
Наклон подложек от 0° до 15°
Ионные источники Freeman / Bernas / IHC (катод с непрямым нагревом)
Имплантация с двойным зарядом
Система доставки жидких компонентов
Газо-подача SDS® / UPTIME® / HP
Охлаждение обратной сороны подложек H2 / Ar
Лучевая линия, покрытая кремнием

Имплантер PIII: Разработанный для наноэлектроники и нанотехнологийnпервый имплантер PIII (Plasma Immersion Ion Implant). Одна из его конфигураций PULSION Nano производит ультра низкую энергию (до 20 эВ) и создана для работы с подложками от 4 до 6 дюймов. Уникальная комбинация свойств этого имплантера такими, как широкий диапазон энергий, широкая шкала токов и газов для различных приложений, позволяет использовать его во многих приложениях, таких как high k, нанокристаллы, разработка подложек, солнечные элементы, и многих других.

Ионные имплантеры

Отправить запрос