+7 (495) 663-30-39

+7 (495) 663-30-67

Оборудование контроля процессов осаждения

Монитор для измерения сопротивления проводящих тонких пленок SRM-150 Измерение сопротивления и термических свойств проводящих пленок (Ti, Cr, Ag, Au, ITO и др.) в реальном времени in-situ. pdf
Монитор ионного тока in-situ ICM Измерение ионного тока от всех видов ионных источников. Отображение информации по току в виде мА/см2. pdf
Оптический анализатор спектра Спектроскопический контроллер 820 Предназначен для измерения оптической толщины олсаждаемых мультислоев и оптических констант in situ. Работа на r просвет или отражение в диапазоне от 450 до 930 нм, с расширением до 1650 нм (опция). pdf
Оптический контроллер Inspector Предназначен для измерения толщины и составления топографии осажденной пленки или фоторезиста. Работа in-situ или off-line. pdf
Лазерный рефлектометр LR220 Предназначен для определения точки окончания процесса (end-point detection) при травлении металлов или диэлектриков или для определения толщины осаждаемых диэлектрических пленок in-situ. pdf
Монитор диагностики плазмы PCM 420 Предназначен для пределения точки окончания процесса (end point detection), контроля процессов реактивного распыления, контроля чистоты подаваемых в камеру газов, контроля за утечками в камере, общей диагностики плазмы. pdf
Контроллер процесса напыления тонких пленок 866 Контроллер осаждения предназначен для высокоточного контроля за скоростью и толщиной осаждаемых пленок с помощью кварцевых датчиков. pdf
RHEED Устройство дифракции быстрых электронов на отражение предназначено для контроля морфологии поверхности твердого тела, анализ статических дифракционных изображений позволяет судить о кристаллической структуре поверхностного слоя, а также изучать микрорельеф поверхности, включая получение количественной информации о плотности моноатомных ступеней и распределении двумерных зародышей на поверхности, также с большой точностью наблюдается скорость роста осаждаемой пленки. pdf
Монитор контроля толщины и скорости роста осаждаемой пленки в процессах МЛЭ 4000 Предназначен для контроля за скоростью осаждения, толщиной осаждаемой пленки, индекса рефракции и контроля температуры поверхности образца во время процессов MBE и MOCVD. pdf
Контроллер атомарных потоков в процессах МЛЭ AccuFlux Контроль за атомарными потоками твердых и газообразнывх источников в режиме реального времени. pdf


группа компаний

КРИОСИСТЕМЫ

 

 

© 2002-2017

ГК «КРИОСИСТЕМЫ»

Все права защищены

КОНТАКТЫ

115088, Россия, Москва

"IQ-park", ул. Угрешская,

д.2, стр.22

 

+7 (495) 663-30-39

+7 (495) 663-30-67

Товар добавлен в запрос!
Список отобранного вы можете найти и отредактировать за кнопкой "Отправить запрос".