Плазменное травление, плазмохимическое травление

Плазменное травление – один из способов создания микроэлектронных схем, микроструктур и наноструктур. Суть метода плазменного травления заключается в выборочном удалении незакрытых фоторезистом участков верхнего слоя обрабатываемого материала. Плазменное травление осуществляется воздействием на материал газовых плазменных разрядов при низком уровне давления. Существует два способа плазменного травления: ионное травление и реактивное травление. Основным вариантом сухого ионного травления является плазмохимическое травление. Технология плазмохимического травления широко применяется при производстве микромеханических изделий, травлении и плазменной очистке материалов микроэлектроники, в реверсивной инженерии. Самый распространенный материал, подвергаемый плазмохимическому травлению – кремний. Кроме того, плазмохимическое травление активно применяется для обработки углеродных пленок, кварца и алмаза. Подложка, подвергаемая плазмохимическому травлению, располагается на одном из параллельных электродов (заземленном). Незащищенные участки подложки при плазмохимическом травлении подвергаются воздействию ионной бомбардировки. Установки для плазмохимического травления востребованы в микроэлектронной промышленности. Плазмохимическое травление также используется в научно-технических исследованиях и разработках.